局部脑缺血再灌注损伤对小鼠TMEM基因和神经细胞自噬的影响
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局部脑缺血再灌注损伤对小鼠TMEM基因和神经细胞自噬的影响

时间:2022-01-17    访问量:44

  目的: 观察局部脑缺血再灌注损伤对小鼠 TMEM166 基因和神经细胞自噬的影响。

  方法:C57 / BL6J 小鼠 50 只,线栓法制作大脑中动脉栓塞( middle cerebral artery occlusion,MCAO) 局部脑缺血模型,随机分为再灌注 6,12,24,48 h 组。  通过免疫组化染色观察缺血侧大脑皮层及基底核 TMEM166、LC3⁃II 的阳性细胞数量变化,Western blot 检测不同再灌注时间 TMEM166、LC3⁃II 蛋白水平的表达。

  结果:  缺血侧 TMEM166 随再灌注时间延长而增加,24 h 达到高峰;再灌注6 h 后LC3⁃II 表达出现,同样随再灌注时间而增加,24 h 达到高峰。  缺血侧自噬细胞数量的变化趋势与 TMEM166 基本一致,对侧大脑半球上述指标无明显变化。

  结论: 小鼠局部脑缺血再灌注损伤可以诱导 TMEM166 的表达,通过激活 LC3⁃II 引起神经细胞自噬。